骁龙835首次将移动平台带入10纳米新世代,让移动平台兼有低功耗与高性能计算的特性,而高通、三星并未放缓IC设计和制程迭代的速度。
据韩媒Aju Business Daily报道,高通正和三星半导体S.LSI部门开发新一代移动芯片,将用于明年旗舰机Galaxy S9之上,该处理器平台很有可能被命名为骁龙845。
4月19日,三星半导体宣布其第二代10nm FinFET工艺——10LPP（Low Power Plus）即将投产。随着3D FinFET结构的进一步增强,与相同面积的第一代10LPE（Low Power Early）相比,10LPP工艺最高可以提升10%的性能或降低15%的功耗。
有分析认为,骁龙845很可能使用比10nm更激进的工艺制造,理由是三星半导体在3月15日宣布将8nm和6nm制程添加到产品路线规划中（roadmap）。预计新制程将在2018年初量产,符合骁龙845的上市节点。
高通和三星半导体已有长达十年的战略代工合作,不过双方未来的合作关系并不如想象中那般明朗。据知名爆料人士@i冰宇宙消息,高通和三星代工合作骁龙845为止就告一段落了。
移动平台的未来将何去何从呢？对于消费者而言一切都是未知数,惊喜背后源自于核心硬件的突破,始终让人葆有期待。
