主要特点
jc-00系列产品具有表面张力低、易清洗、抛光速率高、抛光镜面粗糙度低等特点,非常适用于不锈钢的抛光工艺。直接效果达到不锈钢镜面的光线散射减弱,成像更清晰;水纹现象减弱或消除;本品具抛光及钝化功能,适用于对不锈钢表面要求高度镜面效果的产品。在抛光中根据需要可以优化不同配比,均能达到最佳使用效果。
jc-00系列产品综合了化学和机械抛光的优势:单纯的化学抛光,抛光速率较快,表面光洁度高,损伤低,完美性好,但表面平整度和平行度差,抛光后表面一致性差;单纯的机械抛光表面一致性好,表面平整度高,但表面光洁度差,损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面,又可以得到较高的抛光速率,得到的平整度比其他方法高两个数量级,是目前能够实现全局平面化的唯一有效方法。
主要用途
jc-005h主要应用于不锈钢的抛光工艺中。
jc-003h主要用于铝合金镜面抛光工艺;
jc-001h主要用于大理石精抛工艺;
基本参数:
ph值 8.5~9.5
比重 1.280-1.295
粘度(稀释后)< 10.0(mpa.s)
磨料粒径 100~120(nm)
磨料浓度 40±2%
使用方法
根据工艺将抛光原浆料按一定比例与去离子水混合后使用;根据抛光设备和抛光切削度合理使用抛光液浓度。
运输及保存
1、运输与存放过程中要避免光直射。
2、运输与存放温度为5℃~50℃。
3、保质期一年,建议半年内使用。
包装规格 25kg/桶
化学机械抛光
这两个概念主要出现在半导体加工过程中,最初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等,但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到60年代末,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(cmp chemical mechanical polishing )取代了旧的方法。cmp技术综合了化学和机械抛光的优势:单纯的化学抛光,抛光速率较快,表面光洁度高,损伤低,完美性好,但表面平整度和平行度差,抛光后表面一致性差;单纯的机械抛光表面一致性好,表面平整度高,但表面光洁度差,损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面,又可以得到较高的抛光速率,得到的平整度比其他方法高两个数量级,是目前能够实现全局平面化的唯一有效方法。
制作步骤
依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半