简介：
分光器是一种无源器件,它们不需要外部能量,只要有输入光即可。光线进入分光器后,把普通光线按波长可分为以下三种类：近紫外线（near uv）： 200-380nm
真空紫外线(vacuumuv〈vuv〉 ： 10-200nm 极紫外线、极端紫外线(extreme uv〈euv〉）：1-10nm 从人类健康和环保角度,还可分为uva（３１５～４００nm)、uvb（２８０～３１５nm)、uvc（280nm以下）。
分光器由入射和出射狭缝、反射镜和色散元件组成,其作用是将所需要的共振吸收线分离出来。分光器的关键部件是色散元件,现在商品仪器都是使用光栅。原子吸收光谱仪对分光器的分辨率要求不高,曾以能分辨开镍三线ni230.003、ni231.603、ni231.096nm为标准,后采用mn279.5和279.8nm代替ni三线来检定分辨率。光栅放置在原子化器之后,以阻止来自原子化器内的所有不需要的辐射进入检测器。
光通信时代的分光器是组建epon网络的一个组件,是一个连接olt和onu的无源设备,它的功能是分发下行数据,并集中上行数据。分光器带有一个上行光接口,若干下行光接口。从上行光接口过来的光信号被分配到所有的下行光接口传输出去,从下行光接口过来的光信号被分配到唯一的上行光接口传输出去。只是光信号从上行光接口转到下行光接口的时候,光信号强度/光功率将下降,从下行光接口转到上行光接口的时候,同样如此。各个下行光接口出来的光信号强度可以相同,也可以不同。
每个光纤都有2根接头 这就有了0.2db的衰减然后一侧光纤与另一根光纤通过连接器连接衰减就为4x0.1+1x0.4=0.8db 的损耗了,一般发端的光功率很高滴 有时候因为到终端这边功率高的还有误码
epon在物理层采用了pon技术,在链路层使用以太网协议,利用pon的拓扑结构实现了以太网的接入。在光网络中,其实就是epon波分复用,实现点到多点的结构,自然就需要分光器了。
epon技术中分光器的合理损耗是什么算的?
比如说我olt的pon口出来测的光功率是3,经过一个1分4的分光器之后4个口出来的光功率拿中兴设备来举例：c200/c220光功率也就是olt：接收：-6~-27db发送：+2~+7onu终端：接收光功率：-8～??-24db,发送光功率：+4～～-1db你说的那属于插损,应该这么算： 分光器插损：1分2大约3db,每增加一倍增加3db法兰引入插损：0.5db/个熔接头引入插损：0.1db/个光纤衰减：下行1490nm光纤衰减系数0.36db/km上行1310nm光纤衰减系数0.42db/km 分光器分光后到oun有没有距离的限制？最近单位在调试安装epon设备,想从olt安装分光器进行分光,请问下此种情况分光器分光后到oun有没有距离上的限制？如果有的话是多少？
有距离的限制。按照你说的情况是在机房olt侧进行集中分光,分光后的传输距离,取决于olt pon口的发射功率和接收灵敏度,onu的接收灵敏度和发射功率,选用的光分路器的分光比和损耗,还与选用的光缆,熔接点,适配器等有关。通常epon系统在进行1×32分光后,能够传输20km,但实际上很多厂商的onu可能仅支持10km。总之,由odn的光功率预算决
定,所以还是要具体情况具体分析。
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