【tpcc8066】n沟道场效应管

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产品参数值：

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（metal oxide）

漏源极电压（vdss） 30v

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 11a（ta）

不同 id，vgs 时的 rds on（值） 15 毫欧 @ 5.5a，10v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 2.3v @ 100μa

不同 vgs 时的栅极电荷（qg） 15nc @ 10v

不同 vds 时的输入电容（ciss） 1100pf @ 10v

fet 功能 -

功率耗散（值） 700mw（ta），17w（tc）

工作温度 150°c（tj）

安  装类型 表面贴装

封装/外壳 8-powervdfn

供应商器件封装 8-tson高级

本公司还供应以下型号：

rf5410

rf5216

a4950t

sp3243ebcy

cy8c4247lqi-bl483

tpcc8066

usb3322c

imu-3000

ads1294rizxgr

2sk3891

isp1106dh

ltc4269idkd-1

sky77761-12

c8051f023

rf1621tr13

wm8738ged

max3232ecae

vnd5e025bktr

xc5vsx95t-2ffg1136i

iram236-1067a

r1lp0108esp-7sr

lmh6551qmme

bma255

5m160ze64c4n

stm32f412rgy6tr

mx25u6435fbbi-10g

da14681-01000u22

ta2157fng

nanosmd350lr-2

si4735-b20

si4735-d60

tle4961-1m

ft232rq

ir3m55u6

spp47n10l

lsm303dtr

isl6364crz

nrf8001-r2q32

max14532eewc

ltc4415emse

ltc3854emse

ltc3539edcb

ep4sgx230kf40c3es

m95m02-drmn6tp

5m160ze64c5n

xc4vlx25-10ff668i

mp2116dq

max3518etp

nb650gl

mp8705en

mp1474dj

is61wv12816dbll-10bli

w971gg6jb-25

mp20073dh

mp2360dg

mt29tzzz8d5bkfah-125

以上型号均为星际金华长期现货供应产品，网上所标价持有不确定性，价格请以当天询问为准，有意者，可以来电联系公司工作人员，我们将竭诚为您服务！！！