stp5nk50zfp和phb11n06lt n沟道场效应管

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产品规格参数：

fet类型 n 沟道

技术 mosfet（metal oxide）

漏源极电压（vdss） 500v

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 4.4a（tc）

不同 id，vgs 时的 rds on（值） 1.5 欧姆 @ 2.2a，10v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 4.5v @ 50μa

不同 vgs 时的栅极电荷（qg） 28nc @ 10v

不同 vds 时的输入电容（ciss） 535pf @ 25v

fet 功能 -

功率耗散（值） 70w（tc）

工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）

安  装类型 通孔

封装/外壳 to-220-3 整包

供应商器件封装 to-220fp

以下型号均为公司长期出售产品：

87bfn-120r-3f

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