bsc016n06ns/bsc028n06nsn沟道场效应管

深圳市星际金华实业有限公司现货促销bsc016n06ns/bsc028n06ns n沟道场效应管！！！

星际金华销售bsc016n06ns/bsc028n06ns n沟道场效应管，全新原装，价格实在，质量可保证，实单可详谈！！！

bsc016n06ns：

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源极电压（vdss） 60v  

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）30a（ta），100a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on）6v，10v

不同 id 时的 vgs（th）（值）2.8v @ 95μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值）71nc @ 10v

vgs（值）±20v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值）5200pf @ 30v

fet 功能  -  

功率耗散（值） 2.5w（ta），139w（tc）

不同 id，vgs 时的 rds on（值）1.6 毫欧 @ 50a，10v

工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）

安  装类型 表面贴装

供应商器件封装 pg-tdson-8

封装/外壳8-powertdfn

bsc028n06ns：

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源极电压（vdss） 60v  

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）23a（ta），100a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on）6v，10v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 2.8v @ 50μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值）37nc @ 10v

vgs（值）±20v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值）2700pf @ 30v

fet 功能  -  

功率耗散（值）2.5w（ta），83w（tc）

不同 id，vgs 时的 rds on（值）2.8 毫欧 @ 50a，10v

工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）

安  装类型 表面贴装

供应商器件封装 pg-tdson-8

封装/外壳8-powertdfn

以下是公司部分库存型号：

tmp513airsar

tps22904yfpr

tmp423bidcnr

bsc010n04lsi

bsc016n06ns

bsc077n12ns3g

bsc028n06ns

std25nf20

xc7z035-1fbg676i

xc7a200t-1sbg484i

tms320c6414tbclz1

mip4150mdslj

w25q64fvsfig

stm8s003f3u6tr

ucb1400bevm

gd25q16csig

ncv7513bftr2g

esd8472mut5g

bcm82764bkfsbg

mfrc63001hn

l6207pd

wm9714lgefl

agq210a03z

gt60m324

bq24260yffr

bq24261yffr

stk672-432b

tle2301ine

stm8l101f2u6atr

6n136m

stw4n150

mm3z39vt1g

ncp1607bdr2g

tps78218drvr

acmd-6003

bgu8052

tqp9418

hmc546lp2e

ltc6994is6-1

xcvu440-2flga2892e

bu30td2wnvx

lm3646yfqr

【bsc016n06ns/bsc028n06ns】此型号均为我司优势长期现货供应产品，网上所标价格不正确定，请以当天询问为主，有意者，可以来电联系公司工作人员！！！

我们将竭诚为您服务！！！