ipd50n04s4-10 n沟道场效应晶体管

深圳市星际金华电子公司现货营销 ipd50n04s4-10 n沟道场效应晶体管 ！！！

ipd50n04s4-10：

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源极电压（vdss）  40v  

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）50a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on）10v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 4v @ 15μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值） 18.2nc @ 10v

vgs（值） ±20v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值） 1430pf @ 25v

fet 功能   -

功率耗散（值） 41w（tc）

不同 id，vgs 时的 rds on（值）9.3 毫欧 @ 50a，10v

工作温度 -55°c ~ 175°c（tj）

安  装类型 表面贴装

供应商器件封装 pg-to252-3-313

封装/外壳 to-252-3，dpak（2 引线 + 接片），sc-63

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