场效应管 csd16412q5a n 沟道晶体管

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csd16412q5a：

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）  

漏源极电压（vdss）  25v  

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 14a（ta），52a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on） 4.5v，10v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 2.3v @ 250μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值）3.8nc @ 4.5v

vgs（值） +16v，-12v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值）530pf @ 12.5v

fet 功能  -  

功率耗散（值） 3w（ta）

不同 id，vgs 时的 rds on（值）11 毫欧 @ 10a，10v

工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）

安  装类型表面贴装

供应商器件封装 8-vson（5x6）

封装/外壳 8-powertdfn

以下是公司部分库存型号：

fgd3040g2

m93s56-wmn3tp

isl97642irtz

lisa-u270-02s

w29n02gvsiaa

ncp5663dsadjr4g

cy22392fc

ncp1012ap133g

cy8cled04-68lfxi

cy2308sxc-2t

cy7c1019cv33-15vi

mtd6502b

xq4062xl-3cb228m

tpa6211a1tdgnrq1

dac081c081cimk

sg6859atz

agq2104h

bcm20930a0kml2g

smp1307-001lf

msp430g2855ida38r

lsm330dtr

xcku040-l1ffva1156i

xcf04svog20c

ep4ce30f23c8n

ep4ce115f29c8n

ep2sgx30cf780c3n

ep3sl150f780c3n

ncv8702sn33t1g

tps22968dpur

mc56f82743vlc

mc33161dr2g

tdf8544th

pm8803tr

pcm1772pwr

m95320-rmn6tp

csd16412q5a

spc560p40l3beaay

xc7k480t-2ffg1156c

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