bsc047n08ns3g n沟道场效应管

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产品规格：

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源极电压（vdss）  80v  

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 18a（ta），100a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on）6v，10v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 3.5v @ 90μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值）69nc @ 10v

vgs（值）±20v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值）4800pf @ 40v

fet 功能  -  

功率耗散（值） 2.5w（ta），125w（tc）

不同 id，vgs 时的 rds on（值）4.7 毫欧 @ 50a，10v

工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）

安  装类型 表面贴装

供应商器件封装pg-tdson-8

封装/外壳 8-powertdfn

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