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tpc8110 p沟道晶体管

其它参数:
产品介绍:

深圳市星际金华实业有限公司大量货源出售【tpc8110  p沟道晶体管】百分百原装正品,价格实惠,质量也保证,欢迎顾客朋友致电联系!!!


产品详细参数:

fet 类型 p 沟道

技术 mosfet(金属氧化物)

漏源极电压(vdss) 40v

电流 - 连续漏极(id)(25°c 时) 8a(ta)

不同 id 时的 vgs(th)(值) 2v @ 1ma

不同 vgs 时的栅极电荷 (qg)(值) 48nc @ 10v

不同 vds 时的输入电容(ciss)(值) 2180pf @ 10v

fet 功能 -

功率耗散(值) 1w(ta)

不同 id,vgs 时的 rds on(值) 25 毫欧 @ 4a,10v

工作温度 150°c(tj)

安  装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-sop(5.5x6.0)

封装/外壳 8-soic(0.173",4.40mm 宽)


本公司还促销以下型号:

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