分立半导体 stw4n150 n沟道晶体管

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stw4n150：

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源极电压（vdss） 1500v（1.5kv）

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 4a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on） 10v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 5v @ 250μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值） 50nc @ 10v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值） 1300pf @ 25v

vgs（值） ±30v

fet 功能 -

功率耗散（值） 160w（tc）

不同 id，vgs 时的 rds on（值） 7 欧姆 @ 2a，10v

工作温度 150°c（tj）

安  装类型 通孔

供应商器件封装 to-247-3

封装/外壳 to-247-3

公司还提供以下型号：

tmp513airsar

tps22904yfpr

tmp423bidcnr

bsc010n04lsi

bsc016n06ns

bsc077n12ns3g

bsc028n06ns

std25nf20

xc7z035-1fbg676i

xc7a200t-1sbg484i

tms320c6414tbclz1

mip4150mdslj

w25q64fvsfig

stm8s003f3u6tr

ucb1400bevm

gd25q16csig

ncv7513bftr2g

esd8472mut5g

bcm82764bkfsbg

mfrc63001hn

l6207pd

wm9714lgefl

agq210a03z

gt60m324

bq24260yffr

bq24261yffr

stk672-432b

tle2301ine

stm8l101f2u6atr

6n136m

stw4n150

mm3z39vt1g

ncp1607bdr2g

tps78218drvr

acmd-6003

bgu8052

tqp9418

hmc546lp2e

ltc6994is6-1

xcvu440-2flga2892e

bu30td2wnvx

lm3646yfqr

以上型号均为我司长期现货供应产品，网上标价持有不确定性，请以当天询问为主，如有需要，欢迎来电咨询！！！