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产品详细参数:
fet 类型 n 沟道
技术 mosfet(金属氧化物)
漏源极电压(vdss) 250v
电流 - 连续漏极(id)(25°c 时) 64a(tc)
驱动电压( rds on,小 rds on) 10v
不同 id 时的 vgs(th)(值) 4v @ 270μa
不同 vgs 时的栅极电荷 (qg)(值) 86nc @ 10v
不同 vds 时的输入电容(ciss)(值) 7100pf @ 100v
vgs(值) ±20v
fet 功能 -
功率耗散(值) 300w(tc)
不同 id,vgs 时的 rds on(值) 20 毫欧 @ 64a,10v
工作温度 -55°c ~ 175°c(tj)
安 装类型 通孔
供应商器件封装 pg-to-220-3
封装/外壳 to-220-3
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