spw47n60c3 n沟道场效应管

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产品详细规格参数：

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源极电压（vdss） 650v

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 47a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on） 10v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 3.9v @ 2.7ma

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值） 320nc @ 10v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值） 6800pf @ 25v

vgs（值） ±20v

fet 功能 -

功率耗散（值） 415w（tc）

不同 id，vgs 时的 rds on（值） 70 毫欧 @ 30a，10v

工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）

安  装类型 通孔

供应商器件封装 pg-to247-3

封装/外壳 to-247-3

公司还提供以下型号：

cm75ye13-12f

wm8973lgefl

qca9531

cx20548-11z

si9936dy

dg303bdy

si2302ads

si4448dy

si4465dy

si4472dy

si4925bdy

si4936dy

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si9241aey

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njw0281g

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tip36cw

ikw75n60t

jz4740

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tl431acdr

tw8826

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max3232eeae

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bsp78

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