原装意法stp2nk60z n沟道场效应晶体管

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产品规格：

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源电压（vdss） 600v

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 1.4a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on） 10v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 4.5v @ 50μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值） 10nc @ 10v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值） 170pf @ 25v

vgs（值） ±30v

fet 功能 -

功率耗散（值） 45w（tc）

不同 id，vgs 时的 rds on（值） 8 欧姆 @ 700ma，10v

工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）

安  装类型 通孔

供应商器件封装 to-220ab

封装/外壳 to-220-3

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我司还原装出售以下产品：

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