irfp9240/irg4pc50ud p沟道场效应管

深圳市星际金华电子公司原装促销irfp9240/irg4pc50ud p沟道场效应管！！！

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规格参数值：

irfp9240

fet 类型 p 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源电压（vdss） 200v

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）12a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on）10v  

不同 id 时的 vgs（th）（值） 4v @ 250μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值）44nc

电压，耦合至栅极电荷（qg）（）@ vgs  10v  

vgs（值）±20v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值） 1200pf

电压，耦合至输入电容（ciss）（） @ vds 25v

fet 功能  -  

功率耗散（值） 150w（tc）

不同 id，vgs 时的 rds on（值）500 毫欧 @ 7.2a，10v

工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）

安  装类型 通孔

供应商器件封装 to-247-3

封装/外壳to-247-3

irg4pc50ud ：

igbt 类型  -  

电压 - 集射极击穿（值） 600v

电流 - 集电极（ic）（值） 55a  

脉冲电流 - 集电极 (icm) 220a

不同 vge，ic 时的 vce（on）2v @ 15v，27a

功率 - 值 200w

开关能量 990μj（开），590μj（关）

输入类型 标准

栅极电荷 180nc

25°c 时 td（开/关）值 46ns/140ns

测试条件 80v，27a，5 欧姆，15v

反向恢复时间（trr）50ns

工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）

安  装类型 通孔

封装/外壳to-247-3

供应商器件封装to-247ac

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公司还供应以下型号：

irfb9n60a

irfbg30

irfp064v

irfp150n

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irfp9240

irfu12n25d

irfz44n

irg4pc50ud