irl630strrpbf n沟道场效应晶体管

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规格参数值：

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源电压（vdss） 200v

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）9a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on）4v，5v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 2v @ 250μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值）40nc @ 10v

vgs（值） ±10v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值）1100pf @ 25v

fet 功能  -  

功率耗散（值） 3.1w（ta），74w（tc）

不同 id，vgs 时的 rds on（值）400 毫欧 @ 5.4a，5v

工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）

安  装类型 表面贴装

供应商器件封装 d2pak

封装/外壳to-263-3，d2pak（2 引线 + 接片），to-263ab

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