fdj128n场效应晶体管/dg2011dxa多路分解器

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产品资料：

fet 类型 n 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源电压（vdss） 20v

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 5.5a（ta）

驱动电压（ rds on，小 rds on） 2.5v，4.5v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 1.5v @ 250μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值） 8nc @ 5v

vgs（值） ±12v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值） 543pf @ 10v

fet 功能  -  

功率耗散（值） 1.6w（ta）

不同 id，vgs 时的 rds on（值）35 毫欧 @ 5.5a，4.5v

工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）

安  装类型 表面贴装

供应商器件封装sc75-6 flmp

封装/外壳sc75-6 flmp

dg2011dxa多路分解器：

开关电路 spdt

多路复用器/解复用器电路 2:1

电路数 1

导通电阻（值）2.7 欧姆

通道至通道匹配（δron）200 毫欧（）

电压 - 电源，单（v+） 1.8 v ~ 5.5 v

电压 - 电源，双（v±）  -  

开关时间（ton, tof）（值） 75ns，59ns  

-3db 带宽 -

电荷注入 2pc  

沟道电容 （cs(off），cd（off）） 29pf

电流 - 漏泄（is（off））（值） 1na  

串扰 -69db @ 1mhz

工作温度 -40°c ~ 85°c（ta）

封装/外壳 sot-563，sot-666

供应商器件封装sc-89

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