fdms6681z p沟道金属氧化物场效应晶体管

深圳市明佳达电子有限公司全新原装fdms6681z p沟道金属氧化物场效应晶体管！！！

全新原装 量大价优 现货出售  质量有保证  欢迎广大商友致电订购

规格

fet 类型 p 沟道

技术 mosfet（金属氧化物）

漏源电压（vdss） 30v

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 21.1a（ta），49a（tc）

驱动电压（ rds on，小 rds on） 4.5v，10v

不同 id，vgs 时的 rds on（值） 3.2 毫欧 @ 22.1a，10v

不同 id 时的 vgs（th）（值） 3v @ 250μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（值） 241nc @ 10v

vgs（值） ±25v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（值） 10380pf @ 15v

fet 功能 -

功率耗散（值） 2.5w（ta），73w（tc）

工作温度 -55°c ~ 150°c（tj）

安 装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-pqfn（5x6）

封装/外壳 8-powertdfn

公司还供应以下型号：

en6337qi

en6347qi

en2342qi

en5319qi

en5329qi

en6362qi

ep53f8qi

en5339qi

ep5358hui

ep5358lui

ep5348ui

em2130h01qi

em2130l02qi

em2120l01qi

em2120h01qi

en6382qi

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cy2077fsxct

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tps51461rger

sil161bct100

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